ИНФОРМАЦИОННОЕ СООБЩЕНИЕ


МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ

«ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ
РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»
( INTERMATIC - 2018 )

    19 - 23 ноября 2018, г. Москва



    ОРГАНИЗАТОРЫ

    Министерство образования и науки Российской Федерации,
    Российская Академия Наук,

    Научный Совет РАН по физике конденсированных сред,
    Российский фонд фундаментальных исследований,
    Федеральное агентство связи,
    Российская Академия Естественных Наук,

    Институт радиотехники и электроники РАН,

    МИРЭА – Российский технологический университет,

    Московский технический университет связи и информатики



    О Р Г К О М И Т Е Т

     

    Сигов А.С. – д.ф.-м.н., профессор, Академик РАН, Лауреат Государственной премии РФ, президент, МИРЭА – Российский технологический университет, Москва, Россия – председатель

    Гуляев Ю.В. – д.ф.-м.н., профессор, Академик РАН, Лауреат Государственной премии РФ, президент, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия  – зам. председателя

    Аджемов А.С. д.т.н., профессор, Лауреат премии Правительства РФ, президент, Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия – зам. председателя

    Лучников А.П. с.н.с., Лауреат премии Правительства РФ, МИРЭА – Российский технологический университет, Москва, Россия – ученый секретарь

    Ерохин С.Д. д.т.н., профессор, Лауреат премии Правительства РФ, ректор, Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия

    Камильджанов Б.И. к.т.н., доцент, Ташкентский автомобильно-дорожный институт, Ташкент, Узбекистан

    Кудж С.А. д.т.н., профессор, ректор, МИРЭА – Российский технологический университет, Москва, Россия

    Никитов С.А. – д.ф-м.н., профессор, член-корр. РАН, Лауреат Государственной премии РФ, директор, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия

    Перно Филиппдоктор философии (физика), профессор, заведующий кафедрой, проректор, Лилль, Франция

    Расинг Теодоктор философии (физика), профессор, начальник отдела, Университет Неймегена имени святого Радбода Утрехтского, Нимвеген, Нидерланды

    Рогачев А.В. д.х.н., профессор, член-корреспондент НАН Беларуси, Гомельский государственный университет, Гомель, Беларусь

    Скотт Джеймс Член Королевского общества, доктор философии, профессор, Университет Кембриджа, профессор, заведующий лабораторией, Кембридж, Великобритания

    Федоров И.Б. д.т.н., профессор, Академик РАН, Лауреат премии Правительства РФ, президент, Московский государственный технический университет им. Баумана, Москва, Россия

     


    ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ

    Белкин М.Е. д.т.н., заведующий лаборатории, МИРЭА – Российский технологический университет, Москва, Россия председатель

    Орлов В.Г. к.т.н., доцент, Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия – ученый секретарь, зам. председателя

    Аристов В.В., Воротилов К.А., Есаулов Н.П., Захаров А.К.,

    Каляев И.А., Капустин В.И., Крашенинников А.И., Лось В.П.,

    Мишина Е.Д., Нефедов В.И., Попо Р.А., Рагуткин А.В.,

    Санников В.Г., Сидорин В.В., Соколов В.В., Суржиков А.П.,

    Трефилов Н.А., Шаврин С.С.



    НАУЧНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ


    1. Прикладная физика и радиофизика;

    2. Тонкие пленки, наноматериалы и наноструктуры;

    3. Перспективные компоненты радиоэлектроники;

    4. Высокие наукоемкие технологии и оборудование;

    5. Оптоэлектроника и приборы на квантовых эффектах;

    6. Микроприборы и микросистемная техника;

    7. Твердотельные функциональные блоки РЭА;

    8. Телекоммуникационные и информационные приборы и системы;

    9. Радиоэлектронные приборы и системы безопасности;

    10. Вопросы диагностики, качества и надежности.


    11. На конференцию приглашаются ученые, инженеры, аспиранты для рассмотрения проблемных вопросов прикладной физики, математического моделирования, высоких наукоемких технологий и оборудования при разработке новых перспективных материалов и компонентов РЭА, высокоэффективных приборов, телекоммуникационных и информационных систем радиоэлектронной техники, новых принципов построения и применения электронных приборов, а также для обмена опытом и маркетинга.



      ОБЩИЕ ПРАВИЛА УЧАСТИЯ И ОФОРМЛЕНИЯ ДОКЛАДА


      Для участия в работе конференции необходимо провести регистрацию участника конференции на сайте https://conf.mirea.ru/register.php (уже зарегистрированным ранее участникам необходимо обновить информацию о себе), далее через личную страницу автора https://conf.mirea.ru/private/index.php по созданным ранее регистрационным данным оформить заявку на соответствующую конференцию с указанием: названия и вида доклада (устный, стендовый, дистанционный), заполнить краткую аннотацию (2 - 3 предложения) о содержании доклада, Ф.И.О. предполагаемого докладчика и соавторов доклада.


      Внимание! Если по каким-либо причинам не удается оформить заявку через веб-сайт, вы можете обратиться за помощью на электронную почту Оргкомитета conf@mirea.ru или через форму обратной связи на сайте конференций.


      Любые вопросы по работе с сайтом вы можете задать через форму

      обратной связи https://conf.mirea.ru/feedback.php


      Для участников из вузов, научных учреждений и предприятий из дальних регионов России (более ~ 500 км) возможна дистанционная (заочная) форма участия в работе конференции. В этом случае автор доклада получает бесплатно электронную копию материалов конференции.

      Доклад, подготовленный в соответствии с правилами оформления, необходимо представить в Оргкомитет через личную страницу автора на сайте https://conf.mirea.ru/private/index.php в электронном виде в формате редактора Microsoft Word (при необходимости, запакованный архиватором ZIP или RAR).


      Конференция проводится в МИРЭА – Российском технологическом университете

      Официальный сайт конференций: http://conf.mirea.ru
      Электронная почта оргкомитета:
      conf@mirea.ru

      Справки по телефону: (495) 306-26-64 (с 10.00 до 22.00),

      личная электронная почта: fisika@mail.ru

      Лучников Александр Петрович



      Все доклады проходят отбор и рецензирование Оргкомитетом, после отбора доклад будет включен в программу конференции, сборник научных трудов и научные журналы.



    Доклады будут опубликованы в виде отдельного тома с регистрацией в базе данных РИНЦ.


    Правила оформления рукописи доклада


    Авторам доклада следует придерживаться следующей его структуры: название доклада, фамилия инициалы авторов, название организации, e-mail, введение с обоснованием решаемой задачи, цель и задача работы, методы исследования, результаты исследований, обсуждение результатов исследований, выводы или заключение, список литературы.


    Объем доклада:


    Рабочий язык - русский и английский.

    Текстовый редактор - Microsoft Word 2003, 2007 или новее. Формат страниц - А4. Шрифт - Arial. Размер шрифта - 11 пт. Интервал - одинарный.

    Поля: левое - 25 мм, правое - 25 мм, сверху - 20 мм, снизу - 28 мм,

    отступ первой строки абзаца - 1,25 см.

    Требуется полное заполнение страницы.

    Рисунки только в черно-белом варианте, размер шрифта подписей к рисункам - 10 пт. Обозначения на рисунке должны быть четкими

    с соблюдением пропорции цифровых обозначений.


    Правила оформления шапки страницы: отступить от границы верхнего поля 8 строк; на следующей строке прописными буквами написать название доклада; через строку перечислить инициалы и фамилии авторов через запятую; ниже через строку перечислить название организаций и город (по одной организации на строку); на следующей строке перечислить e-mail авторов (по желанию) через запятую; далее через строку печатать основной текст доклада.


    Пример составления списка литературы:

    (привести полные сведения согласно ГОСТу)


    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


    1. Ненашева Е.А. Керамические материалы для электронной техники СВЧ. // «INTERMATIC-2004» / Материалы Международной НПК, 9-12 июня 2003 г. Москва. - М.: МИРЭА, 2003, с. 17-19.

    2. Васильев А.Г., Хорин И.А. Силициды в технологии многоуровневой металлизации УБИС. // «ПЛЕНКИ-2002» / Материалы Международной НТК, 26-30 ноября 2002 г. Москва. - М.: МИРЭА, 2002, ч. 2., с. 105-110.

    3. Вдовенков В.А., Прокофьева С.П., Усачева Т.Н. Быстродействующие приемники с контактами на барьерах Шоттки. // Журнала технической физики. - 1990, т.60, № 2, с. 213-216.

    4. Лучников А.П., Классов В.Н. Стабильность заряда тонкопленочных электретных покрытий. // Техника средств связи, сер. ЛОСС. - 1990, № 1, с. 34-40.

    5. Gunther P. Charging, Long-term Stability аnd TSD Measurements of SiO2 Electrets. // IEEE Trans. on Electr. Insulation. - 1989, v. 24, № 3, р. 430-442.

    6. Kuhel W., Franz J., Hohm D., Heb G. Silucon Subminiature for Airborne Sound. // Acustica. - 1991, v.73, p. 90-99.

    7. Семенова И.А. Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства. // Автореф. канд. техн. наук. - Улан-Уде: БНЦ СО РАН. - 24 с.



    С примерами оформления докладов настоятельно рекомендуем ознакомиться

    на сайте конференций по ссылке: https://conf.mirea.ru/CD2017/


    Оргкомитет принимает от одного автора (соавтора) не более 2-х докладов. Доклады рецензируются.


    Внимание! Рукопись доклада, оформленная без соблюдения требований Оргкомитета и отсутствие регистрации авторов не рассматривается!



    Оргкомитет принимает доклады представляющие оригинальные результаты научных исследований.

    Организационный взнос не взимается.


    Конференция проводится в г. Москве на базе МИРЭА – Российского технологического университета

    по адресу: Россия 119454, г. Москва, Пр. Вернадского, д. 78.