< Вернуться к выбору сборника

Содержание сборника МОЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ - 2008, часть 2

1.Хмеленин Д.Н., Жигалина О.М., Воротилов К.А., Сигов А.С. Электронная микроскопия гетероструктур на основе цирконата-титаната свинца с различной структурой подложки 7
2.Плаксеев А.А., Верховская К.А. Особенности диэлектрической релаксации сегнетоэлектрических наноразмерных пленок 11
3.Симонов А., Черная Т.С., Макарова И.П. Структура K9H7(SO4)8Н2О 15
4.Бабичева Н.Г., Сидоркин А.С., Миловидова С.Д., Рогазинская О.В. Релаксация эмиссии электронов из ниобата лития, облученного рентгеновскими лучами 18
5.Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Плаксицкий А.Б., Бабичева Н.Г., Ионова Е.В. Влияние примеси ионов хрома на диэлектрическую нелинейность кристаллов ТГС, выращенных при отрицательных температурах 22
6.Плаксицкий А.Б., Сидоркин А.С., Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Бабичева Н.Г., Ионова Е.В., Денисов С.М. Кинетика электростимулированной эмиссии электронов облученных кристаллов ТГС 25
7.Зубреева А.А. Изучение процесса переноса заряда в монокристалле ниобата лития 28
8.Галиярова Н.М., Стреляева А.Б. Низкочастотная дисперсия диэлектрической проницаемости пьезокерамики PZTNB-1 в области морфотропной фазовой границы 32
9.Павелко А.А. Реверсивная нелинейность твёрдых растворов четырехкомпонентной системы 0,98( хPbTiO3- yPbZrO3- zPbNb2/3Mg1/3O3 )- 0,02PbGeO3 38
10.Захаров Ю.Н., Лутохин А.Г., Павелко А.А., Андрюшина И.Н., Бородин В.З. Влияние термообработки на увеличение температурного интервала существования антисегнетоэлектрической фазы в керамике РbZr1-xTi[О3 (0.02 x 0.05) 41
11.Захаров Ю.Н., Павелко А.А., Андрюшина И.Н., Юрасов Ю.И., Лутохин А.Г., Корчагина Н.А., Кузнецов В.Г. Аномалии пироэлектрических и диэлектрических свойств на изотермических разрезах керамик бинарной системы ЦТС в морфотропной области 45
12.Андрюшин К.П. Отработка технологии изготовления функциональных материалов на основе многокомпонетных сегнетоэлектрических твердых растворов, в том числе, бессвинцовых 49
13.Павелко А.А., Андрюшина И.Н. Пироэлектрические свойства системы ЦТС в односимметрийных полях 54
14.Вербенко И.А., Андрюшин К.П., Килесса В.В. Зависимости диэлектрических свойств твёрдых растворов n-компонентной системы на основе ниобатов щелочных металлов от напряжённости постоянного электрического поля и температуры 59
15.Барабанова Е.В., Малышкина О.В., Черешнева Н.Н. Профиль поляризации керамики феррониабата свинца 64
16.Пилипенко А.С., Бурханов А.И., Ивлева Л.И. Поведение диэлектрической проницаемости монокристаллов SBN:Cr при различных амплитудах измерительного поля 68
17.Урбин П.А. Вклад поверхностного слоя в диэлектрические характеристики тонких пленок ЦТС с избытком оксида свинца 72
18.Иванов М.С. Особенности формирования тонких сегнето-электрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления 75
19.Семин С.В., Вирченко Е.С. Оптические свойства инвертированного никелевого опала 78
20.Кравченко О.Ю., Фоменко Д.С. Термочастотное поведение и реверсивность твёрдых растворов (Na, K)NbO3 81
21.Кочергин И.В., Жога Л.В., Нестеров В.Н. Абсорбционный ток в нагруженной сегнетокерамике 87
22.Борисенко C.А. Исследование формы импульсов переполяризации в монокристаллах триглицинсульфата 90
23.Арефьев А.И., Кошкидько Ю.С. Исследование влияния внедрения атомов водорода на магнитную доменную структуру и магнетокалорический эффект интерметаллических соединений TB2FE17HX 94
24.Борисенко C.А. Исследование скачкообразных процессов переключения в монокристаллах триглицинсульфата 98
25.Трошкин А.С., Солнышкин А.В. Вольтамперные характеристики и фоторезистивный эффект в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 102
26.Трошкин А.С., Солнышкин А.В. Температурное поведение фотовольтаического и фотоэлектрического откликов гетероструктур на основе пленок Sn2P2S6 105
27.Гершенович В.В., Павленко А.В. СВЧ-поглощение в твердых растворах четырехкомпонентной системы на основе PZT и PMN-PT 109
28.Вербенко И.А., Андрюшин К.П., Кравченко О.Ю., Резниченко Л.А., Разумовская О.Н., Шилкина Л.А. Влияние высоких электрических полей на деформационные, реверсивные и поляризационные характеристики бессвинцовых сегнтокерамик на основе ниобатов щелочных металлов 113
29.Гужаковская К.П., Бурханов А.И., Ивлева Л.И. Влияние освещения на низко- и инфра- низкочастотный диэлектрический отклик монокристалла SBN - 75 117
30.Бойцова К.Н., Педько Б., Сорокина И.И. Исследование дефектной и доменной структуры кристаллов SBN с примесями RH и EU 120
31.Кудашев А.С., Бурханов А.И., Захарченко И.Н., Гах С.Г., Алешин В.А. Влияние дефектов структуры на переполяризационные характеристики сегнетоэлектрических пленок ЦТС 125
32.Кочергин И.В., Жога Л.В., Нестеров В.Н. Абсорбционный ток в нагруженной сегнетокерамике 130
33.Лысова О.А., Гайнутдинов Р.В., Волк Т.Р., Толстихина А.Л., Ивлева Л.И. Создание микродоменов в сегнетоэлектрических кристаллах ниобата-бария-стронция методом атомно-силовой микроскопии 133
34.Кушнарев П.И. Температурная зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости поляризованных кристаллов ТГС 137
35.Таланов М.В., Вербенко И.А. Электрофизические свойства и реверсивные характеристики твёрдых растворов релаксорной многокомпонентной системы на основе цинкониобата свинца 141
36.Родинин М.Ю. Максвелл-вагнеровская релаксация в гетерогенных мультиферроиках 145
37.Бажин И.В., Назаренко А.В. Анализ полных энергий и электронных структур YMnO3 в различных модификациях 149
38.Серегин Д.С. Формирование изолирующих слоев методом химического осаждения из газовой фазы в технологии формирования многоуровневых систем металлизации 153
39.Курлов С.С., Лебедева Т.С., Поперенко Л.В., Шпилевой П.Б. Диагностика тонкопленочных структур Al/AlOx/Al методами оптики и анодной спектроскопии 165
40.Ищенко О.М., Васильева К.Л., Соснов Е.А., Захарова Н.В., Малков А.А., Малыгин А.А. Анализ координационного состояния титана в наноструктурах, формируемых в процессе молекулярного наслаивания на поверхности дисперсного SiO2 170
41.Милинский А.Ю. Влияние примеси нитрита калия на интервал несоразмерной фазы в NaNO2 175
42.Бунтов Е.А., Зацепин А.Ф. Фотоэлектронная эмиссия пленок SiO2, имплантированных ионами Si+, O+ И S+ 178
43.Панин Е.А., Зацепин Д.А., Курмаев Э.З., Шамин С.Н. Рентгеновские Si L2,3 - эмиссионные спектры низкоразмерной гетеросистемы Si/SiO2 после имплантации ионами Si+ 182
44.Канюков Е.Ю. Наноструктуры систем SI/SIO2/металл с треками быстрых тяжелых ионов 185
45.Ивашов Е.Н., Кравчук И.С. Математическая модель адаптивного управления качеством производства наноматериалов 189
46.Гришаева М.А., Соловьёв В.А., Печерская Р.М. Квантово-размерный эффект в пористом кремнии 195
47.Samardak A.S., Nogaret A., Taylor S., Janson N.B., Balanov A.G., Farrer I., Ritchie D.A. Demonstration of noise induced pulsing in a monolithic semiconductor neuron 198
48.Бирюков Д.О. Интеркалирование теллурида германия 202
49.Музафарова С.А. Вольтамперные характеристики nCdS-рCdTe гетероструктур с промежуточным твердым раствором 205
50.Дайнеко С.В., Захарченко К.В., Золоторевский В.И., Мочалов К.Е., Олейников В.А., Тедорадзе М.Г., Чистолинов А.В., Чистяков А.А. Лазерно индуцированная люминесценция многослойных структур на основе органических полупроводников и наночастиц CdSe и CdSe/ZnS 217
51.Андреев А.И., Никитенко В.А., Мухин С.В., Удалов А.И. Способы управления электропроводностью порошка оксида цинка в электролюминесцентном преобразователе изображения 224
52.Антонов А.В., Никифоров К.Г. Спин-поляризованный транспорт в гетероструктуре HgCr2Se4/CdIn2S4 229
53.Мельников О.А. Численное моделирование процессов теплообмена при выращивании монокристаллов полупроводников методом бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом 233
54.Трофимова Н.Ю., Бондина В.П. Исследование технологических процессов и предельных параметров при изготовлении интегральных схем 238
55.Ломакина Ю.С. Особенности внедрения лабораторно- информационной системы "Starlims" в дефтельность испытательной лаборатории "монокристаллы и заготовки на их основе" 241